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消息稱三星西安閃存二廠完成擴建并已投產 NAND產量超全球10%

瀏覽:出處:IT之家2022-03-31 23:59

  3 月 31 日消息,Digitimes 報道稱,三星電子 (Samsung Electronics) 唯一海外存儲器生產廠,中國西安 NAND Flash 廠區第二工廠日前已完成擴建并投產。據悉,該廠是三星在韓國本土之外,唯一的存儲芯片廠。通過此次擴建,三星電子的 NAND 閃存生產能力將占世界市場的 10% 以上。

  陜西日報消息指出,西安三星半導體一期項目于 2012 年 9 月開工建設,2014 年 5 月建成投產,投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元,其中閃存芯片項目投資 100 億美元,封裝測試項目投資 8.7 億美元。

  IT之家曾報道,2017 年 8 月 30 日,西安三星半導體投資 70 億美元在西安高新區建設 12 英寸閃存芯片二期項目,新建一條閃存生產線。2019 年 12 月,該公司決定再投資 80 億美元,擬對二期項目進行擴建,實現增產及產品迭代。

  據悉,三星電子、SK 海力士等韓國半導體大廠都在中國設廠,且生產量市占整個半導體工廠的一半。三星電子在中國西安建立生產 NAND Flash 存儲芯片月產可以達到 26.5 萬片 12 吋晶圓。而 SK 海力士也在考慮將重要的生產線遷移至中國當地生產。

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